ST公司、三安光电拟合建碳化硅厂

　　中化新网讯 近日，意法半导体ST Microelectronics发布公告显示，该公司已与三安光电签署协议，双方将在重庆建立一座新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。

　　该公司表示，此举有助于满足中国汽车电气化、工业电力和能源等应用对碳化硅器件日益增长的市场需求。该厂全部建设总额预计约达32亿美元。其中，未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括ST公司和三安光电的资金投入、重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。该厂计划于2025年第四季度开始生产，2028年全面建成。

　　据悉，该制造厂将采用ST公司碳化硅专利制造工艺技术，专注于生产碳化硅器件。同时，三安光电将利用自有碳化硅衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸碳化硅衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。

　　ST公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“对ST来说，与中国本地的合作伙伴成立碳化硅工厂，将助力我们以高效的方式满足中国客户不断增长的市场需求。将三安光电未来的8英寸衬底制造厂、双方新成立的合资工厂以及ST在深圳现有的后端制造厂相结合，我们有能力为中国客户提供垂直整合的碳化硅价值链。”