我国科学家开发出介电基底修饰新技术

　　中化新网讯 半导体芯片运算速度越来越快，但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术，有望解决芯片散热问题。相关研究成果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》。

　　研究表明，在一个芯片中，半导体材料和绝缘体材料之间，以六方氮化硼为材质的界面材料，将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响。传统方式是，研究人员先将其在别的“盆”里种出来，然后移栽到芯片材料上。

　　复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队，开发了一种共形六方氮化硼修饰技术，在最低温度300摄氏度的条件下，无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术，能让芯片材料性能显著提升。

　　专家表示，这一技术具有高普适性，不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件，还可以推广到其他材料和更多器件应用中，共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。